Comienza la producción en masa de memorias 3D de Samsung

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Se trata de la primera memoria Flash NAND tridimensional con estructura vertical de la industria, que ofrece una densidad de 128 Gb en un solo chip.

Además de estar sumergida en la producción de su nueva memoria DRAM LPDDR3 de bajo consumo para dispositivos móviles con 4 gigabits de capacidad y tecnología de fabricación de 20 nanómetros, Samsung ha anunciado el inicio de las operaciones también para su memoria V-NAND.

Samsung-V-NAND-04-0Esto es, para la primera memoria Flash NAND tridimensional con estructura vertical de la industria, que promete sustanciales mejoras respecto a generaciones actuales y pasadas al utilizar la tecnología propietaria de la firma surcoreana basada en 3D CTF y un proceso de interconexión vertical para enlace de matrices.

¿Una de sus principales consecuencias? Poder entregar una densidad mínima de 128 gigabits en un solo chip.

“La nueva tecnología V-NAND Flash 3D es el resultado del esfuerzo de nuestros empleados durante años para ir más allá del pensamiento convencional y adoptar enfoques más innovadores con los que superar las limitaciones en el diseño de la tecnología de semiconductores de memoria”, dice Jeong-Hyuk Choi, vicepresidente sénior de tecnología y productos Flash de Samsung Electronics.

“Después de la primera producción en serie del mundo de Vertical NAND 3D, vamos a seguir introduciendo productos V-NAND 3D con un mejor rendimiento y una mayor densidad, lo que contribuirá a un mayor crecimiento de la industria global de memoria”, ha añadido.

Esta memoria se construirá con proceso de 10 nanómetros y será utilizada para dar vida a múltiples productos de electrónica como discos embebidos o unidades SSD de estado sólido.

Más información en The Inquirer.

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