Comienzan a fabricar memoria 3D V-NAND de 256 Gigabits

Datos y Almacenamiento

Con su nueva generación de chips de memoria, Samsung quiere mejorar rendimiento y densidad en cuestiones de almacenamiento de estado sólido.

La semana de Samsung ha sido atareada. La compañía asiática ha anunciado nuevos dispositivos móviles, ha avanzado los planes de lanzamiento de su sistema de pagos Samsung Pay y también ha comenzado a hacer progresos en temas de almacenamiento.

Sus responsables han confirmado que ya se están fabricando en masa memorias flash NAND más potentes, que llegan a duplicar la capacidad de los chips actuales.

Se trata de la propuesta flash V-NAND 3D de 256 Gigabits, que además promete mayor productividad y menor consumo energético.

“Con la introducción de nuestra memoria flash V-NAND de tercera generación en el mercado mundial, ahora podemos ofrecer las mejores soluciones de memoria avanzada, incluso con mayor eficiencia basada en mejores rendimiento, utilización de energía y productividad de fabricación”, señala Young-Hyun Jun, presidente de la división de memoria de Samsung Electronics, “acelerando así el crecimiento de los mercados SSD de alto rendimiento y alta densidad”.

Y es que el objetivo sería crear unidades de almacenamiento de estado sólido capaces de proporcionar varios Terabytes.

“Al hacer un uso completo de las excelentes características de Samsung V-NAND”, concluye Young-Hyun Jun, “vamos a ampliar nuestro negocio premium en los segmentos de mercado empresarial y de centros de datos, así como en el mercado de consumo, sin dejar de fortalecer nuestro enfoque SSD estratégico”.

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