El problema de los iPhone 6 Plus de 128GB sería su memoria TLC

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Hace varios días os hablamos de los problemas que están experimentando algunos usuarios de Apple con sus iPhone 6 Plus de 128GB. Pues bien, las pesquisas por ver de donde viene el problema apuntan a un fallo en la memoria, debido a que usan memoria triple-level cell (TLC).

Al parecer el problema de los fallos y reinicios de los iPhone 6 Plus de 128GB no es simplemente cuestión del software o de tener instaladas muchas aplicaciones, sino algo mucho más concreto referido al hardware, usar memoria TLC NAND.

Este tipo de memoria es más lenta que la SLC o MLC, lo que podría causar inestabilidad debido al controlador IC del módulo de memoria TLC NAND del iPhone 6 Plus de 128GB. La razón por la que Apple ha confiado en este tipo de memoria, a pesar de que se conoce su menor fiabilidad, está en que su coste es mucho menor.

Lo más curioso del asunto es que Apple está usando memoria más barata mientras es también la compañía cuyas ampliaciones de memoria interna en sus smartphones resulta más cara. No sólo eso, la falta de ranura para tarjetas microSD se justifica por parte de Apple en algunos casos en evitar el uso de memoria de mala calidad.

No es la primera vez que este tipo de memoria le da problemas a un fabricante. Los SSDs de Samsung 840 y 840 EVO han sufrido quejas debido a su inestabilidad y falta de rendimiento en lectura, que se achacan al uso de memoria TLC NAND. En ese caso Samsung está buscando una solución actualizando el firmware, pero no está claro si eso podrá solventarlo. Veremos que hace por su parte Apple.

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