GLOBALFOUNDRIES detalla su plan para los 22nm y más allá

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GLOBALFOUNDRIES hizo público ayer una tecnología innovadora que podría solucionar uno de los problemas clave para avanzar en la fabricación de transistores high-k metal gate (HKMG), acercando a la industria a la nueva generación de dispositivos móviles con mayor pontencia y menor consumo. Están colaborando junto con IBM en ello y ya han prometido el escalado inverso hasta los 22 nanómetros.

Durante el Simposio 2009 VLSI Technology que está teniendo lugar en Kyoto, Japón, GLOBALFOUNDRIES ha hecho una presentación oficial de una técnica que permite que el grosor equivalente de óxido (OET) en un transistor high-k metal gate (HKMG) se pueda escalar inversamente hasta el límite requerido para 22 nm.

La demostración de ello ha probado que es posible conseguir el escalado de EOT para 22 nm sin una elevación en fugas, voltajes inestables y los problemas que surgían hasta ahora. La demostración tuvo lugar con un n-MOSFET con EOT de 0.55nm y un p-MOSFET con EOT de 0.7nm.

Según parece los 22 nm se acercan como posibilidad real, aunque tendremos que esperar como mínimo de 2 a 3 años para ver los primeros chips funcionales, tanto CPUs como GPUs. Antes toca el paso a 32 nm.

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