IBM reinventa las memorias no volátiles

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Las nuevas memorias STT-RAM desarrolladas por IBM y TDK aplican un nuevo concepto que supone una evolución de las memorias RAM no volátiles tradicionales.

Tal y como indican en News.com, las llamadas Spin Torque Transfer RAM (STT-RAM) se basan en la aplicación de corrientes eléctricas para cambiar la dirección del campo magnético. Ese cambio causa un cambio en la resistencia, que a su vez se interpreta como un 0 o un 1.

El primer prototipo tardará cuatro años en aparecer y estará fabricado en tecnología de 65 nanómetros, situando a esta memoria a la cabeza de las posibles sucesoras de las memorias no volátiles actuales junto a las llamadas memorias de cambio de fase.

vINQulos
CNET News.com

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