Intel y Micron desarrollan el primer chip NAND de 128 GB en 20 nm

Datos y Almacenamiento

La joint venture de desarrollo formada por Intel y Micron, IM Flash Technologies, acaba de anunciar un nuevo hito en el sector del almacenamiento y en particular, en el desarrollo de la tecnología NAND Flash.

Se trata del primer dispositivo de memoria de celdas multinivel (MLC) fabricado con el proceso de 20 nanometros y con capacidad de 128 GB.

Los responsables de Intel y Micron explican que este novedoso chip NAND proporciona el doble de capacidad de almacenamiento y de rendimiento que los actuales chips NAND de 64 GB fabricados también en 20 nanometros.

La nueva gama de NAND cumple con las especificaciones ONFI 3.0  al alcanzar velocidades de 333 megatransfers por segundo (MT/s). Este chip busca ofrecer una nueva solución de almacenamiento para los dispositivos móviles, tablets y smartphones, que cada vez apuestan por diseños más delgados y ligeros.

“A medida que los dispositivos portátiles se hacen más pequeños y delgados, nuestros clientes demandan tecnologías de almacenamiento innovadoras”, señala Glen Hawk, vicepresidente de soluciones en Micron, “nuestra colaboración con Intel continúa para ofrecer tecnologías NAND líderes”.

Las primeras unidades del chip NAND de 128 GB estarán disponibles en enero del próximo año, y la producción en masa se iniciará a lo largo del primer semestre. Además, Intel y Micron han anunciado el inicio de la producción en masa de su chip NAND de 64GB, también fabricado con el proceso de 20 nanometros.

vINQulos

IM Flash Technologies, SlashGear

 

 

 

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