Intel da un paso más hacia las memorias PCM

Datos y Almacenamiento

Junto a Numonyx y ST Microelectronics, Intel tiene ya listos prototipos de las memorias que dicen desplazarán un día al flash. Los dispositivos se llaman Alverstone, tienen células multi-gigabit de 256 Mb y se han fabricado con tecnología de 90 nanometros.

Las memorias PCM, o de cambio de fase, son un tipo de memoria “no volátil”, es decir, retienen los datos incluso cuando se deja de suministrar energía, algo que no consiguen las DRAM. Esto es posible gracias al cristal de chalcogenide, un elemento que cambia de estado (amorfo y cristalino) con la aplicación de calor. De esta forma, la fase amorfa se utiliza para representar el binario 0 (es más resistente) y la cristalina, para representar el 1.
Pues bien, Intel lleva ya desde el 2001 trabajando en esta tecnología y ahora tiene los primeros prototipos en funcionamiento. Junto a Numonyx y ST Microelectronics ha logrado hacer que los dispositivos PCM resistan al calor, de tal forma que han realizado pruebas a 125 grados Celsius en períodos de 48 horas. Según la compañía, el dispositivo sobrevivió 100.000 ciclos de escritura/borrado sin problemas.

Numonyx se centrará en proporcionar soluciones de memoria completa para una gran variedad de dispositivos como móviles, reproductores MP3 o cámaras. Y de aquí a la producción masiva hay solo un paso.

vINQulos
TG Daily

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