La “memoria de nanopuntos” pulveriza el récord mundial de velocidad

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El dispositivo, desarrollado por científicos taiwaneses y estadounidenses, es capaz de multiplicar por 100 la velocidad de los chips de memoria actuales.

Investigadores de Taiwán y de la Universidad de California en Berkeley han alcanzado un nuevo logro en materia de nanotecnología. En esta ocasión han desarrollado una memoria no volátil capaz de mejorar hasta 100 veces la velocidad de los productos de almacenamiento actuales.

Este avance ha sido publicado en la revista Applied Physics Letters, donde se explica que el dispositivo fabricado por los científicos utiliza un material no conductivo que integra lo que se ha dado en llamar “nanopuntos” de silicio (Si-QD) alineados horizontalmente y sin superponerse. Cada uno de estos nanopuntos tiene un diámetro de tan sólo 3 nanómetros y representa un único bit de memoria.

Mientras, una capa metálica colocada en la parte superior es utilizada a modo de interruptor con el que controlar el apagado y el encendido de los nanopuntos. El propio proceso de almacenamiento utiliza breves estallidos de luz láser verde para dirigirse a zonas específicas de la superficie de metal y alcanzar nanopuntos individuales. Éstos funcionan con un voltaje de 7 voltios, una velocidad de programación y borrado inferior a 1 μs, y gran resistencia al deterioro.

Sus creadores también afirman que “los materiales y los procesos utilizados para los dispositivos son compatibles con las tecnologías mainstream de circuitos integrados” y que “también se pueden aplicar a otros dispositivos de estructura avanzada”.

Eso sí, de momento el proyecto no saltará al mercado en forma de producto comercial.

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