La memoria Flash en tecnología de 30 nanómetros ya es una realidad

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Samsung ha anunciado que comienza la fabricación masiva de chips de memoria de 3 bits fabricados en 30 nanómetros y con celdas de múltiples niveles.

Samsung, el mayor fabricante de memoria NAND Flash, que disfruta de más del 30% de cuota de mercado acaba de hacer público que ya se encuentra fabricando de forma masiva sus primeros chips de memoria basados en tecnología de 30 nanómetros.

Estos chips cuentan con arquitectura de celdas multinivel (MLC) y, además, son capaces de almacenar 3 bits en cada una de ellas, lo que significa que aumentan la capacidad de los anteriores desarrollos de 2 bits en un 50%.

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En un principio Samsung implementará esta tecnología en tarjetas de memoria MicroSD de 8 GBytes para cámaras, teléfonos móviles… pero lo cierto es que su uso se podrá extender a un gran número de dispositivos.

La compañía coreana, al igual que otros fabricantes, también está trabajando en otros avances relacionados con la memoria NAND, como es el caso de los futuros chips MLC asíncronos de doble tasa de datos.

Uno de los motivos del éxito de las memorias de Samsung es que los fabrica no solamente para sus propios productos, sino que lo hace para otras compañías de la talla de HP, Nokia, RIM (BlackBerry), Seagate, Dell o Sun Microsystems.

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