Memorias más amplias y eficientes gracias a la espintrónica

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Una colaboración entre IBM y la Universidad ETH de Zurich, ha logrado describir por primera vez la formación de una hélice de espín persistente en un semiconductor.

Un grupo de científicos de IBM ha culminado con éxito una investigación que demuestra cómo una técnica denominada “espintrónica” puede dar lugar al desarrollo de memorias de bajo consumo con una densidad de almacenamiento mucho mayor a la que existe actualmente.

La técnica no es nueva. De hecho, el uso y sincronización de los espines de los electrones ha estado siendo investigada con especial interés durante los últimos tiempos. Aunque no ha sido hasta ahora que el Gigante Azul, en colaboración con la Universidad ETH de Zurich, ha logrado producir imágenes donde se constata que estos espines que actúan como dominios magnéticos son lo suficientemente persistentes como para acumular, trasportar y procesar información codificada, antes de la rotación.

Y es que mientras la electrónica convencional se basa en flujos de cargas eléctricas, la espintrónica se centra en propiedades abordables a un nivel mucho más pequeño, el giro del electrón en sí mismo, que además requiren de mucha menos energía para funcionar.

Eso sí, este primer logro ahora tiene que evolucionar hacia consecuencias prácticas reales. Aunque los investigadores han encontrado una “hélice de giro persistente” reproducible en semiconductores de zinc y preservables durante tiempos relativamente largos, estos “tiempos” se contabilizan en nanosegundos. Concretamente, la sincronización de electrones se extiende a la vida útil del espín en 30 veces a 1,1 nanosegundos. Esto significa que sólo son persistentes desde el punto de vista de un procesador que opera a frecuencias de GHz.

Además, en el experimento se ha trabajado a temperaturas de tan sólo 40 grados sobre el cero absoluto (unos -233º C).

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