Memorias con el doble de capacidad a igual precio

ComponentesWorkspace

Intel acaba de anunciar una nueva técnica que permite duplicar la capacidad de almacenamiento de las células de memoria de cambio de fase. Y lo mejor de todo, su aplicación no incrementa los costes de fabricación.

Este tipo de células difiere de las tecnologías de memoria de estado sólido como las aplicadas en memorias Flash o memorias de acceso aleatorio (RAM) ya que no usa electrones para almacenar datos. Las células de cambio de fase se basan en la ordenación de los átomos del material, que se conoce como su ‘estado físico’.

La mejora consiste en la definición de dos estados más para estas células – previamente sólo había dos definidos – lo que permite duplicar la capacidad de almacenamiento de información de estas células, algo que podría representar un avance crítico para futuras memorias de este tipo, que podrían reemplazar a medio plazo a las tecnologías actuales.

vINQulos

TechnologyReview

Leer la biografía del autor  Ocultar la biografía del autor