Micron desvela su nueva tecnología de 16 nm para memoria NAND Flash

Datos y Almacenamiento
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La miniaturización de los procesos de fabricación de semiconductores cada vez es mayor y Micron acaba de anunciar que ha empezado ya a utilizar procesos de 16 nm para la elaboración de memoria NAND Flash.

Gracias a este minúsculo tamaño y al uso de células multinivel, han conseguido desarrollar los módulos de 128 Gb más pequeños del mercado.

Pero no sólo son las células multinivel de memoria Flash más pequeñas, al parecer según Micron también son las más baratas de producir y abren la posibilidad de crear obleas de casi 6 TB.

Los 16 nm marcan de esta forma la nueva generación de dispositivos de almacenamiento de datos, que no sólo mejorará la densidad de capacidad y precio de los SSD, también de pendrives, tarjetas de memoria y por supuesto todos los productos que utilizan memoria Flash, como tablets y smartphones.

Mientras Intel sigue con las pruebas internas para sus procesos de 14 nm, Micron asegura que los primeros discos SSD que utilicen esta tecnología estarán disponibles en 2014.

vINQulos

HotHardware

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