Samsung ya está pensando en los 4 nanómetros

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En su hoja de ruta contempla distintas soluciones, que van desde 8LPP (8nm Low Power Plus) a 4LPP (4nm Low Power Plus).

Samsung Electronics quiere luchar contra los límites de la Ley de Moore y ya ha establecido una hoja de ruta sobre tecnología de proceso de fundición que le permitirá ir bajando desde los 8 hasta los 4 nanómetros.

En su hoja de ruta, plagada de soluciones de baja potencia y presentada durante la celebración del Samsung Foundry Forum, contempla por ejemplo la tecnología 8LPP (8nm Low Power Plus) con beneficios de rendimiento y densidad respecto a 10LPP. Esta tecnología llegaría previo cambio a Extreme Ultra Violet o la litografía EUV. La primera vez que Samsung la utilizaría en sus semiconductores sería a través de 7LPP (7nm Low Power Plus), con la que la compañía asiática espera superar precisamente las barreras de escala de la Ley de Moore.

Las siguientes soluciones que tiene previsto implementar Samsung son 6LPP (6nm Low Power Plus) con  Smart Scaling, 5LPP (5nm Low Power Plus) y 4LPP (4nm Low Power Plus). Esta última se diferenciará del resto por implementar la arquitectura de dispositivo MBCFETTM o Multi Bridge Channel FET.

En los planes de Samsung sobre tecnología de procesos también entran los 18 nanómetros FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator).

“La naturaleza omnipresente de las máquinas inteligentes y conectadas y de los dispositivos de consumo diario señala el comienzo de la próxima revolución industrial”, declara Jong Shik Yoon, vicepresidente ejecutivo de Foundry Business de esta empresa. “Para competir con éxito en el entorno empresarial actual de ritmo acelerado”, dice Yoon, “nuestros clientes necesitan un socio de fundición con una hoja de ruta completa en los nodos de proceso avanzado para lograr sus objetivos y metas de negocio”. Y eso es lo que ahora ha presentado Samsung.

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