Samsung avanza hacia memorias DDR4

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La multinacional coreana ha comunicado el desarrollo y validación de sus primeros chips DRAM fabricados en procesos de 40 nanómetros, un paso significativo que abre la puerta para la producción de memorias de ultra-alto rendimiento como DDR4.

DDR4 no es para el tiempo presente lógicamente, cuando aún no está extendido siquiera el estándar DDR3 y su implantación masiva lleva retraso en plataformas Intel y AMD. DDR4 no llegaría al mercado hasta 2012 según estimaciones de la industria.

Mientras tanto, Samsung utilizará los nuevos chips fabricados en 40 nanómetros para comercializar módulos de uno y dos Gbytes para portátiles (soDIMM) validados para plataformas con chipset Intel GM45. En comparación con los modelos actuales fabricados en 50 nanómetros, la compañía estima que los nuevos módulos reducirán el consumo energético en un 30% y aumentarán ampliamente su capacidad de producción, según explican en TGDaily.

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