Samsung comienza la producción en masa de memoria flash de 10 nm

Datos y Almacenamiento

La capacidad de las tarjetas microSD, los díscos SSD y las memorias internas de dispositivos verán dentro de poco un aumento gracias a Samsung y su nuevo sistema de fabricación de memoria flash de 10 nm.

Según Samsung se trata de la tecnología que permite la mayor densidad de almacenamiento que existe y es la base de la creación de chips de memoria NAND de 128 GB.

Sus nuevos chips son capaces de ofrecer 400 Mbps e inicialmente irán destinados a tarjetas microSD de 128 GB y discos SSD que superen los 500 GB.

Tras estos mercados iniciales, el siguiente objetivo de Samsung es la memoria interna de tablets y smartphones, permitiendo que, junto con el menor espacio que ocupan los de 128 GB y la más que probable rebaja del resto de módulos, el nuevo estándar sea 64 o 128 GB dentro de poco.

Atentos los que estéis pensando en comprar un smartphone de última generación y queráis contar con la mayor cantidad de almacenamiento, quizás os compense esperar unos meses a los próximos terminales.

vINQulos

PhoneArena

Leer la biografía del autor  Ocultar la biografía del autor