Samsung y SAP investigan juntas sobre la memoria del futuro
Han inaugurado un centro de investigación conjunto para “desarrollar la próxima generación de soluciones in-memory” usando SAP HANA y tecnología DRAM DDR4 de 20 y 10 nanómetros.
En el marco de una alianza más amplia, Samsung Electronics y SAP han inaugurado un centro de investigación conjunto que les permitirá avanzar en temas de memoria. Les permitirá dirigirse hacia la próxima generación de computación in-memory, según ellas mismas han explicado.
“Junto con Samsung Electronics”, concreta Adaire Fox-Martin, presidenta de SAP en Asia-Pacífico Japón, “vamos a desarrollar la próxima generación de soluciones in-memory para los clientes que utilizan la plataforma SAP HANA. Esta colaboración con Samsung extiende nuestra asociación y representa nuestro compromiso acerca de impulsar la innovación y ayudar a nuestros clientes a ganar en la economía digital”.
Samsung Electronics y SAP deberían acabar comercializando nuevas soluciones DRAM fruto de las indagaciones de sus ingenieros, que realizarán pruebas sobre SAP HANA y se servirán de un sistema de servidor con 24 TB de memoria. Para ello se usarán módulos DRAM DDR4 de 128 GB con sello de Samsung, tecnología 3DS y proceso de 20 nanómetros.
Ahí no se quedará la cosa, ya que la intención de ambas compañías es dar el salto a los 256 GB y los 10 nanómetros el año que viene. Esto redundará en mayores niveles de rendimiento y también en una mejoría de consumo a la hora de procesar y analizar grandes cantidades de datos.
“Con nuestra última tecnología DRAM de 10 nm”, comenta Young-Hyun Jun, presidente de la división de memoria en Samsung Electronics, será posible “ofrecer soluciones más avanzadas para la próxima generación del sistema in-memory SAP de una manera muy eficiente“. Algo que sucederá “en el mercado de memoria de alta densidad a través de la innovación continua”.
