Intel 7, 4, 3, 20A y 18A: lo que se viene de aquí a 2025

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La hoja de ruta de Intel incluye entre sus desarrollos innovaciones como RibbonFET y PowerVia.

Intel ha actualizado su hoja de ruta, mostrando cuáles serán las tecnologías que marcarán su línea de producto durante los próximos años.

“Estamos acelerando nuestra ruta de innovación para asegurarnos que para el 2025 vayamos por un camino claro hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos”, señaló Pat Gelsinger, CEO de la compañía, durante la presentación. El directivo asegura que, “hasta que se agote la tabla periódica, seremos implacables en nuestra búsqueda para cumplir con la Ley de Moore y nuestro camino para innovar con la magia del silicio”.

Gelsinger también ha destacado que sus próximas innovaciones “serán fundamentales para nuestros clientes de servicios de manufactura”.

En el horizonte de Intel figuran novedades como Intel 7, Intel 4, Intel 3 e Intel 20A.

Intel 7 promete un incremento del rendimiento por vatio del 10-15 % respecto a Intel 10 SuperFin gracias a los transistores FinFET. Se incluirá este mismo año en productos como Alder Lake o Sapphire Rapids.

El aumento del rendimiento de Intel 4 será de un 20 % sobre Intel 7. Se trata del primer nodo FinFET con litografía ultravioleta extrema (EUV). Estará listo para producción en el segundo semestre de 2022 y llegará al mercado al año siguiente de la mano de Meteor Lake y Granite Rapids.

Por su parte, Intel 3 espera mejorar un 18 % el rendimiento de Intel 4 y planea avances como una biblioteca más densa o una pila de interconexión optimizada. Con él se comenzarán a fabricar nuevos productos durante la segunda mitad de 2023.

Intel 20A marcará el comienzo de la arquitectura de transistores RibbonFET y también de PowerVia, primera implementación de Intel en la industria de suministro de energía en la parte posterior. Intel 20A estará listo para 2024.

A partir del 2025, Intel se concentrará en otros avances como Intel 18A, que también incluirá RibbonFET. Además, la compañía buscará implementar EUV de Alta NA de próxima generación.

Imagen destacada – Crédito: Intel Corporation

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