Micron acopla módulos híbridos de NAND y RAM

Micron ha decidido hacer frente a la incontrolable explosión de datos en la sociedad actual, desarrollando una pieza conjunta de DRAM-NAND compatible con DDR4.

Dicho producto llegará al mercado en forma de módulo híbrido bautizado como HDIMM para gestionar las diferencias de latencia, mientras que otro controlador NVM se encargará de establecer las actualizaciones.

Y el resultado será una combinación de lo mejor de ambos mundos, esto es, la alta velocidad de las memorias DRAM modernas que alcanzan transferencias de datos de hasta 4.266 MT/s y la enorme capacidad de almacenamiento no volátil de NAND.

De hecho, según informa The Register, se habla de que podrían estar disponibles más de 256 GB de memoria.

La intención es tener este módulo listo en el plazo de 18 meses y que funcione sin mayores problemas en equipos Windows.