Press release

Toshiba ampliará la capacidad de producción de semiconductores de potencia con una planta de fabricación de obleas de 300 milímetros

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Patrocinado por Businesswire

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) anunció hoy que construirá una nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia en su principal base de producción de semiconductores discretos, Kaga Toshiba Electronics Corporation, en la prefectura de Ishikawa. La construcción se llevará a cabo en dos fases, lo que permitirá optimizar el ritmo de inversión frente a las tendencias del mercado, y el inicio de la producción de la Fase 1 está programado para el año fiscal 2024. Cuando la Fase 1 alcance su capacidad máxima, la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba será 2,5 veces superior a la del año fiscal 2021[1].

Este comunicado de prensa trata sobre multimedia. Ver la noticia completa aquí: https://www.businesswire.com/news/home/20220203005436/es/

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Los dispositivos de potencia son componentes esenciales para gestionar y reducir el consumo de energía en todo tipo de equipos electrónicos y para lograr una sociedad neutra en carbono. La demanda actual se está expandiendo en la electrificación de vehículos y la automatización de equipos industriales, con una demanda muy fuerte de MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) e IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) de bajo voltajey otros dispositivos. Hasta la fecha, Toshiba ha satisfecho este crecimiento de la demanda aumentando la capacidad de producción en las líneas de 200 milímetros y acelerando el inicio de la producción en las líneas de producción de 300 milímetros desde la primera mitad del año fiscal 2023[2] hasta la segunda mitad del año fiscal 2022. Las decisiones sobre la capacidad general de la planta y en la inversión en equipos, el inicio de la producción, la capacidad y el plan de producción reflejarán las tendencias del mercado.

La nueva fábrica tendrá una estructura amortiguadora de terremotos; sistemas BCP (plan de continuidad del negocio) mejorados, incluidas líneas de suministro de energía duales; y el último equipo de fabricación de ahorro de energía para reducir las cargas ambientales. También tendrá como objetivo lograr el objetivo “RE100” de 100% de dependencia de las energías renovables. La calidad del producto y la eficiencia de la producción mejorarán mediante la introducción de inteligencia artificial y sistemas automatizados de transporte de obleas.

En el futuro, Toshiba expandirá su negocio de semiconductores de potencia e impulsará la competitividad mediante inversiones oportunas e investigación y desarrollo que le permitirán responder a la demanda en rápido crecimiento y contribuir a una sociedad de bajo consumo energético y neutralidad en carbono.

Notes:

[1] La capacidad total de fabricación de obleas de 200 y 300 milímetros (equivalente a 200 milímetros)

[2] Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation anuncia una importante inversión en el negocio de dispositivos de energía

— Listo para comenzar la construcción de la planta de fabricación de obleas de 300 milímetros — (March 10, 2021)

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2021/03/corporate-20210310-1.html

Cronograma (Plan)

Inicio de la construcción: Primavera, 2023

Construcción completa: Primavera, 2024

Comienzo de la producción: dentro del año fiscal 2024

Descripción general de Kaga Toshiba Electronics Corporation

Ubicación: 1-1, Iwauchi-cho, Nomi-shi, Prefectura de Ishikawa, Japón

Establecimiento: diciembre de 1984

Presidente y director representante: Hideo Tokunaga

Empleados: aprox. 1,000 (al 30 de septiembre de 2021)

Productos principales: semiconductores discretos (semiconductores de potencia, dispositivos de pequeña señal y dispositivos optoelectrónicos)

* Los nombres de empresas, nombres de productos y servicios mencionados aquí pueden ser marcas comerciales de sus respectivas compañías.

* La información de este documento, incluidos los precios y las especificaciones de los productos, el contenido de servicios y la información de contacto, está vigente a la fecha de este anuncio, pero está sujeta a cambios sin previo aviso.

Acerca de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, un proveedor líder de soluciones avanzadas de almacenamiento y semiconductores, se basa en más de medio siglo de experiencia e innovación para ofrecer a los clientes y socios comerciales destacados semiconductores discretos, sistemas LSI y productos HDD.

Los 22 000 empleados de la empresa en todo el mundo comparten la determinación de maximizar el valor del producto y promover una estrecha colaboración con los clientes en la creación conjunta de valor y nuevos mercados. Con ventas anuales que en la actualidad superan los 710 000 millones de JPY (6500 millones de USD), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation espera desarrollar y contribuir a un futuro mejor para las personas de todo el mundo.

Obtenga más información en https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.