Primera memoria DDR4 de 8 gigabit y 20 nanómetros

Ya casi está aquí. Samsung ha comenzado a fabricar la primera memoria DDR4 de 8 Gb que se basa en el proceso de 20 nanómetros. Se trata, por supuesto, del estadio de producción definitivo de forma masiva.

Esta memoria promete un voltaje poco elevado, de unos 1,2 voltios, una mejor corrección de errores y, al venir con un módulo de 32 GB bajo el brazo, también apuesta por un rendimiento que debería ser un 29% superior a los anteriores modelos DDR3. Se estima que su velocidad de transferencia es de 2.400 Mbps.

Al menos así lo destacan sus responsables. El vicepresidente de Memory Marketing en Samsung Electronics, Jeeho Baek, asegura que este producto “más que satisface las necesidades de eficiencia de alto rendimiento, de alta densidad y de energía que están impulsando la proliferación de servidores empresariales de próxima generación“. Obviamente, ahí se dirige esta memoria DDR4.

Cabe destacar que ésta no es la primera solución que Samsung sacará al mercado partiendo de la tecnología de 20 nanómetros. Ya tiene en circulación otras memorias similares como la DDR3 de 4 Gb para ordenadores y la LPDDR3 de 6 Gb para móviles.

Recientemente, el gigante surcoreano también iniciaba la producción de sus nuevos discos SSD para servidores, con el nombre en clave de SM1715 y una capacidad de almacenamiento de 3,2 TB.

Mónica Tilves

Licenciada en Xornalismo por la Universidad de Santiago de Compostela en la especialidad de Periodismo Electrónico y Multimedia. Apasionada de los gadgets, la fotografía digital, el diseño web y el arte. Tras un primer contacto con el mundo de la prensa escrita y con la suficiencia investigadora debajo del brazo, me decanto por los medios online. Cubro la actualidad informativa en Silicon Week desde 2011, además de colaborar en otras publicaciones del grupo NetMediaEurope en España como Silicon News. Ahora en Silicon.es.

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