Samsung Electronics completa el desarrollo de su tecnología FinFET de 5 nm

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Al igual que con los 7 nm, la compañía surcoreana utiliza el proceso de litografía ultravioleta extrema (EUV).

Samsung Electronics sigue quemando etapas en la innovación sobre semiconductores.

Si hace unos meses inciaba la producción de los 7 nm con tecnología EUV o de litografía ultravioleta extrema, ahora anuncia que ha terminado el desarrollo de una nueva tecnología FinFET que también usa el proceso de litografía EUV. Con ella baja hasta los 5 nm.

El nuevo desarrollo, en comparación con los 7nm, promete un 25 % más de eficiencia, un 10 % más de rendimiento y un 20 % menos de consumo. Además, con los 5 nm será posible aprovechar la propiedad intelectual anterior, facilitando la transición y reduciendo los costes, de acuerdo con Samsung.

El vicepresidente ejecutivo de Foundry Business en la compañía surcoreana, Charlie Bae, espera que “los nodos avanzados basados ​​en EUV de Samsung tengan una gran demanda para aplicaciones nuevas e innovadoras como 5G, la inteligencia artificial (IA), la computación de alto rendimiento (HPC) y la automoción“.

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