Samsung Electronics completa el desarrollo de su tecnología FinFET de 5 nm
Al igual que con los 7 nm, la compañía surcoreana utiliza el proceso de litografía ultravioleta extrema (EUV).
Samsung Electronics sigue quemando etapas en la innovación sobre semiconductores.
Si hace unos meses inciaba la producción de los 7 nm con tecnología EUV o de litografía ultravioleta extrema, ahora anuncia que ha terminado el desarrollo de una nueva tecnología FinFET que también usa el proceso de litografía EUV. Con ella baja hasta los 5 nm.
El nuevo desarrollo, en comparación con los 7nm, promete un 25 % más de eficiencia, un 10 % más de rendimiento y un 20 % menos de consumo. Además, con los 5 nm será posible aprovechar la propiedad intelectual anterior, facilitando la transición y reduciendo los costes, de acuerdo con Samsung.
El vicepresidente ejecutivo de Foundry Business en la compañía surcoreana, Charlie Bae, espera que “los nodos avanzados basados en EUV de Samsung tengan una gran demanda para aplicaciones nuevas e innovadoras como 5G, la inteligencia artificial (IA), la computación de alto rendimiento (HPC) y la automoción“.
