Samsung se sumerge en la tecnología de 3 nanómetros

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La compañía ha dado algunos detalles sobre el proceso 3GAE, que promete un 35 % más de rendimiento y un 50 % menos de consumo energético que los 7 nanómetros.

Samsung, como gigante de la industria de semiconductores que es, ha puesto en marcha el trabajo con la tecnología de 3 nanómetros.

Así lo ha desvelado durante la celebración del Samsung Foundry Forum 2019 USA, donde ha explicado que el proceso Gate-All-Around 3GAE está dando sus primeros pasos. De momento ya ha publicado la versión 0.1 de su kit de diseño de proceso, lo que permite a clientes lanzarse a diseñar.

“Estamos al borde de la Cuarta Revolución Industrial, una nueva era de computación y conectividad de alto rendimiento que mejorará la vida diaria de todos en el planeta”, ha comentado ES Jung, presidente y responsable del Foundry Business de Samsung Electronics, durante el evento. “Samsung Electronics”, asegura, “entiende completamente que lograr soluciones de silicio potentes y confiables requiere no solo los procesos de fabricación y empaquetamiento más avanzados, así como soluciones de diseño, sino también relaciones de colaboración fundición-cliente basadas en la confianza y visión compartida”.

Los avances en los que trabaja Samsung apuntan directamente a espacios como la movilidad, internet de las cosas, la automoción, las redes y la inteligencia artificial.

Sobre 3GAE, sus creadores prometen hasta un 45 % de reducción en el área de chip respecto a la tecnología de 7 nanómetros y también un 50 % menos de consumo energético. Mientras, el rendimiento se incrementaría en un 35 %.

Pero antes de los 3 nanómetros llegarán otras creaciones. Samsung tiene previsto producir en masa dispositivos con proceso de 6 nanómetros este mismo año. Durante el segundo semestre, además, completará el diseño de producto del proceso de 5 nanómetros y terminará el desarrollo del proceso de 4 nanómetros.

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