Samsung Electronics continúa haciendo avances en materia de tecnología de almacenamiento. Y, en concreto, en materia de soluciones de memoria flash.
La empresa surcoreana ha presentado ya la que es su cuarta generación de V-NAND, que busca “proporcionar valores diferenciados de vanguardia en alta capacidad, alto rendimiento y dimensiones compactas de producto”, según Young-Hyun Jun, presidente de la división de memoria de la compañía. Unas capacidades que, “en conjunto, contribuirá a que nuestros clientes logren mejores resultados de coste total de propiedad”, promete este directivo.
Esta nueva generación V-NAND se caracteriza por contar con un 30% más de capas que la anterior propuesta. En total, llega a las 64 capas.
Según ha explicado Samsung, la densidad sube hasta los 512 GB de densidad, con una velocidad IO de 800 Mbps.
Un producto que utilizará esta innovación es la nueva unidad de estado sólido Serial Attached SCSI de hasta 32 TB en formato de 2,5 pulgadas que ya ha sido bautizada como la unidad para sistemas empresariales de mayor capacidad.
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