Samsung Electronics se lanza a por los semiconductores de 3 nanómetros. La compañía surcoreana ha comenzado a producir sus primeros chips de este tipo, que incluyen arquitectura de transistor Gate-All-Around (GAA).
La tecnología GAA de Samsung se llama MBCFET, utiliza nanoláminas con canales amplios y promete avances de rendimiento y eficiencia energética respecto a FinFET.
En comparación con el proceso de 5 nanómetros, el proceso de 3 nanómetros de primera generación reduce el consumo hasta un 45 % y acelera el rendimiento un 23 %. La segunda generación debería bajar el consumo hasta un 50 % y mejorar el rendimiento un 30 %.
El director del negocios de fundición de Samsung Electronics, Siyoung Choi, promete seguir adelante con “la innovación activa en el desarrollo de tecnología competitiva” y dar vida a “procesos que ayuden a acelerar el logro de la madurez tecnológica”.
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