Los chips de memoria ReRAM (resistive random access) consumen menos energía y pueden escribir datos 10.000 veces más rápido que la memoria NAND Flash, muy utilizada en dispositivos móviles. Al menos es lo que aseguran desde el diario japonés Nikkei.
Un chip ReRAM incorporado en un dispositivo sería capaz de descargar una película en alta definición en varios segundos y reducir su consumo virtualmente a cero cuando estuviera en reposo.
El National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, la Universidad de Tokio y otros fabricantes de equipamiento de chip se unirán a Elpida y Sharp en el desarrollo del producto, afirman en Nikkei.
Es probable que la producción a gran escala del chip será gestionada por Elpida, el tercer fabricante de chips DRAM del mundo, y comenzará en 2013.
Mientras Elpida y Sharp trabajan en su ReRAM, Toshiba lo hace en un nuevo tipo de memoria flash con estructura de capas, mientras que Samsung Electronics está desarrollando chips ReRAM, PRAM (phase-change random access memory) y MRAM (magnetoresistive random access memory).
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