I+D: IBM triplicará la memoria de sus procesadores

IBM ha anunciado recientemente que
podría triplicar la capacidad de memoria de los chips y duplicar su rendimiento
gracias a un descubrimiento que elimina el cuello de botella que supone el
sistema de memoria actual.

Mediante una combinación de las tecnologías
SRAM y
DRAM, el fabricante acaba de
presentar un circuito DRAM desarrollado en SoI ?silicio sobre aislante? lo
bastante rápido para ser explotado en memoria caché.

Hasta ahora, la memoria basada en la tecnología SRAM (Static Random-Acces
Memory) necesita seis transistores para almacenar un bit, mientas que la DRAM
(Dynamic Random-Access Memory) sólo requiere un transistor y un condensador,
aunque es demasiado lenta para ser adaptada a una caché.

Así, mientras que una memoria DRAM tradicional transfiere un bit de datos en
entre 10 y 12 nanosegundos, y una SRAM realiza la misma operación en entre 0,8 y
1 nanosegundo, la nueva DRAM presentada por IBM ofrece rendimientos del orden de
1,5 nanosegundos, lo que supone una mil millonésima parte de un segundo.

Con un rendimiento como éste, es posible almacenar en la misma superficie
tres veces más de datos en DRAM de nueva generación que en SRAM, con una
complejidad y un precio de fabricación inferiores a ésta.

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