La empresa de tecnología surcoreana Samsung Electronics ha desarrollado la primera DRAM HBM3E de 12 pilas (HBM3E 12H), cuya producción en masa está prevista para esta primera mitad del año.
HBM3E 12H llega como el producto HBM de mayor capacidad, con 36 GB. Además, proporciona hasta 1280 GB/s de ancho de banda. Ambas cifras suponen una mejoría de más del 50 % en comparación con el producto HBM3 8H de 8 pilas.
También mejora la densidad vertical en más de un 20 %. En este sentido, Samsung ha utilizado la tecnología TC NCF, que también impulsa las propiedades térmicas.
HBM3E 12H se dirigirá a sistemas que demandan más memoria, en un entorno marcado por el auge de las aplicaciones de inteligencia artificial (IA). La velocidad media para entrenamiento se puede incrementar en un 34 % y el número de usuarios simultáneos de servicios de inferencia, hasta 11,5 veces.
“Los proveedores de servicios de IA de la industria requieren cada vez más HBM con mayor capacidad”, comenta al respecto Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo de planificación de productos de memoria en Samsung Electronics, “y nuestro nuevo producto HBM3E 12H ha sido diseñado para responder a esa necesidad”.
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