Se trata de un desarrollo llevado a cabo por Simone Bertolazzi, Daria Krasnozhon y Andras Kis, de la École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), en Suiza.
Se combinan pues las propiedades semiconductoras de una monocapa de disulfuro de molibdeno con la alta conductividad del grafeno. Todo ello utilizando algunos componentes tradicionales de la memoria Flash para obtener un nuevo tipo de memoria que, aunque está en un nivel de desarrollo bastante inicial, ya está demostrando ser prometedora.
A pesar de que la estructura de ambos materiales es bidimensional gracias a que sólo tienen un átomo de espesor, la combinación de ambos con silicio requiere de varias capas, por lo que ya no es bidimensional, pero al ser tan fina, desde un punto de vista más amplio se comporta como tal, permitiendo que esta memoria sea flexible.
Por ahora han comprobado que aguanta 120 ciclos de lectura/escritura sin problemas, así como que puede mantener la información durante una década, pero todavía le queda bastante para ser una alternativa real a los sistemas actuales.
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