Fabricada con proceso de 30 nanómetros, promete un rendimiento un 50% mayor y un consumo un 40% menor respecto a la memoria LPDDR3.
Actualidad TI Memoria DDR4
Samsung desarrolla el primer módulo de memoria DDR4 basado en tecnología de 30nm
La coreana Samsung, que este año tiene previsto invertir la friolera de 38.000 millones de dólares a nivel global, sigue innovando en materia de memoria, donde se mantiene líder del mercado.