Lo último que han anunciado los laboratorios de HP es que se ha podido demostrar el control sobre la operatividad de esta tecnología, el primer paso para incorporarla a los circuitos integrados.
Con Memristor se intenta construir un conector memristor de 50×50 nanometros con dos capas de dióxido de titanium (TiO2) entre dos nanocables (electrodos) desplegados en una arquitectura del tipo “crossbar latch”. Los cables superior e inferior se sitúan perpendicularmente uno del otro. Una capa TiO2 tiene espacios oxigenados y actúa como semiconductor. La otra no tiene estos espacios y actúa como insulador. Las capas TiO2 entre los puntos en los que una línea superior se cruza con una inferior actúan como celdas bit.
La función del dispositivo podría ser controlada haciendo cambios en la distribución de los átomos de oxígeno en esta capa.
Los dispositivos memristor digitales podrían sustituir a las memorias flash, ya que son más pequeños, muy rápidos y no volátiles. HP llama a estos dispositivos RRAM, o memoria resistiva de acceso aleatorio y sugiere que podrían tener listo un prototipo en 2009.
vINQulos
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