IBM y la japonesa TDK trabajan juntos para sacar adelante un nuevo tipo de memoria magnética, STT-RAM. IBM dejará sus investigaciones en la línea MRAM, que se ha demostrado poco viable como memoria magnética comercial, para volcarse en el nuevo formato, del que esperan tener un primer prototipo de 65 nanómetros en menos de cuatro años.
El concepto de la memoria STT-RAM es sencillo. Una corriente eléctrica es aplicada a un imán para cambiar la dirección del campo magnético (de arriba abajo o de izquierda a derecha), lo que provoca un cambio de resistencia. Los distintos niveles de resistencia se registran como ceros y unos.
Estas dos compañías no son las únicas que trabajan en el formato. El fabricante Grandis espera tener un primer modelo a finales del año que viene. Además, no es el único tipo de memoria no volátil en desarrollo: tendrá que competir con la memoria de cambio de fase, según comenta Cnet.
Se habla de la memoria de cambio de fase desde principios de los años setenta, pero todavía no ha habido desarrollos comerciales. Intel y STMicroelectronics están trabajando actualmente en este futuro estándar por medio de su joint venture Numonyx.
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