En colaboración con el Instituto de Microelectrónica de Singapur el dispositivo “Surrounding Gate Transistor” organiza los componentes en una estructura horizontal en “3-d” en vez de usar el diseño vertical utilizado en la actualidad.
Esta estructura aparentemente reduce la distancia a recorrer por los electrones, genera menos calor y cuesta menos de producir.
El trabajo de diseño está dirigido por el CTO de Unisantis Fujio Masuoka, uno de los “inventores” de la memoria flash, al que se unen 30 ingenieros y académicos.
“El SGT permite mejorar el tamaño del transistor y la velocidad de procesamiento de los chips de nueva generación, necesarios para satisfacer la potencia exigida por los productos informáticos y redes de creciente complejidad”, explicó Masuoka.
vINQulos
channelregister
Las transacciones de pago instantáneo crecerán un 161% en el próximo lustro, superando los 58…
POWERBIM ha logrado destacarse a nivel mundial gracias a su enfoque tecnológico y su visión…
Este nuevo Software Hub de Renault nace con el objetivo de liderar la revolución del…
La compañía en la que se enmarca Google ha publicado los resultados financieros de su…
Alcanzó los 61.900 millones de dólares, de los que 35.100 millones corresponden a Microsoft Cloud.
La tecnológica española registró durante el año una mejoría del 23 % respecto al ejercicio…