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Samsung desarrolla una nueva memoria DRAM

Se trata del primer módulo DDR4 DRAM fabricado con tecnología de 30 nanómetros, y según el gigante surcoreano puede transferir datos a una velocidad de 4 gigabits por segundo.

Por otro lado, en el plano de la energía permite un ahorro del 40% frente a los modelos de chips con DDR3 DRAM que también alcanzan esa elevada velocidad.

Hong Wan-hoon, president ejecutivo de Samsung, ha comentado que el nuevo chip de memoria tendrá gran utilidad en los servidores y centros de datos, y también será importante desde el punto de vista ecológico.

El año que viene está previsto que el nuevo chip se empiece a expandir de forma masiva en el mercado, y desde la empresa asiática también han desvelado que desean que en lograr su estandarización en agosto por parte del Consejo de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos Ensamblados.

vINQulos

TechEye

Jaime Domenech

Tras varios años de experiencia en información tecnológica para medios y empresas, accedo al grupo NetMedia Europe a finales de 2010 para trabajar en la web TheInquirer, donde estoy más de dos años. En 2013 cambio a la web Silicon News y más adelante paso a colaborar también para SiliconWeek.es y SiliconWeek.com.

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