Samsung Electronics sigue quemando etapas en la innovación sobre semiconductores.
Si hace unos meses inciaba la producción de los 7 nm con tecnología EUV o de litografía ultravioleta extrema, ahora anuncia que ha terminado el desarrollo de una nueva tecnología FinFET que también usa el proceso de litografía EUV. Con ella baja hasta los 5 nm.
El nuevo desarrollo, en comparación con los 7nm, promete un 25 % más de eficiencia, un 10 % más de rendimiento y un 20 % menos de consumo. Además, con los 5 nm será posible aprovechar la propiedad intelectual anterior, facilitando la transición y reduciendo los costes, de acuerdo con Samsung.
El vicepresidente ejecutivo de Foundry Business en la compañía surcoreana, Charlie Bae, espera que “los nodos avanzados basados en EUV de Samsung tengan una gran demanda para aplicaciones nuevas e innovadoras como 5G, la inteligencia artificial (IA), la computación de alto rendimiento (HPC) y la automoción“.
Las transacciones de pago instantáneo crecerán un 161% en el próximo lustro, superando los 58…
POWERBIM ha logrado destacarse a nivel mundial gracias a su enfoque tecnológico y su visión…
Este nuevo Software Hub de Renault nace con el objetivo de liderar la revolución del…
La compañía en la que se enmarca Google ha publicado los resultados financieros de su…
Alcanzó los 61.900 millones de dólares, de los que 35.100 millones corresponden a Microsoft Cloud.
La tecnológica española registró durante el año una mejoría del 23 % respecto al ejercicio…