La tecnología 3D NAND para chips de memoria flash, promete una mayor densidad de la capacidad de almacenamiento, así como un mayor rendimiento respecto a los chips planos que no apilan capas verticalmente. Debido a sus ventajas, varias compañías están empezando a apostar por esta tecnología, y entre ellos tenemos a SK hynix y TSMC. Según el Korea Economic Daily, Samsung también tendría unos ambiciosos planes para esta tecnología.
El diario coreano aseguraba que Samsung tiene planes para invertir unos 25 billones de won en la mejora de la capacidad de producción de memoria flash con la tecnología 3D NAND en una fábrica en Hwaseong, en la provincia de Gyenonggi. Pero la compañía ha desmentido los rumores y ha informado de que no se han establecido todavía planes detallados ya que se trata de una tecnología muy novedosa y que están empezado a despegar.
Por otro lado, Intel y Micron están desarrollando conjuntamente la tecnología 3D Xpoint, que en teoría sería 1.000 veces más rápida que la memoria flash NAND. IBM, por su cuenta, ya ha mostrado sus chips de memoria de cambio de fase, con una mayor capacidad de almacenamiento y vida útil que la memoria flash convencional. ¿Cuál de estas tres tecnología terminará marcando el futuro de la memoria flash?
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