Crean una unidad SSD once veces más rápida que los discos actuales

La actividad de la comunidad científica no cesa. Un grupo de investigadores japoneses que trabajan en la Universidad de Chuo ha conseguido desarrollar una arquitectura híbrida para unidades de estado sólido (SSD) que combina memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM) con otro tipo de memoria, en este caso la popular NAND Flash.

Mientras la segunda da cuenta de una capacidad de 256 Gbytes, la segunda ofrece un rápido acceso al almacenamiento en una especie de modo caché de 8 GBits.

¿La consecuencia directa? Que en comparación con la mayoría de las SSD actuales que sólo hacen uso de la tecnología NAND Flash, este prototipo es capaz de ofrecer un desempeño de escritura 11 veces más rápido, reducir su consumo energético en nada menos que un 93% y estirar su ciclo de vida hasta casi multiplicarlo por 7. Y todo ello a pesar del alto precio inicial de las piezas ReRAM.

Es más, las memorias resistivas permitirían a los centros de datos ahorrarse la incomodidad y los altos costes de reemplazar de forma continuada las unidades de estado sólido desgastadas. Y se predice una rápida adopción de las mismas si los investigadores consiguen convertirlo en un sistema lo suficientemente comercial.

Éste y otros hallazgos están siendo demostrados estos días en el Simposio sobre Circuitos VSLI que se celebra en Hawai, tal y como informa Tech-On!.

Mónica Tilves

Licenciada en Xornalismo por la Universidad de Santiago de Compostela en la especialidad de Periodismo Electrónico y Multimedia. Apasionada de los gadgets, la fotografía digital, el diseño web y el arte. Tras un primer contacto con el mundo de la prensa escrita y con la suficiencia investigadora debajo del brazo, me decanto por los medios online. Cubro la actualidad informativa en Silicon Week desde 2011, además de colaborar en otras publicaciones del grupo NetMediaEurope en España como Silicon News. Ahora en Silicon.es.

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