Responsables del fabricante Micron han anunciado que se encuentran en proceso de desarrollo y producción de los módulos de memoria DDR3 LRDIMM (módulos de memoria DDR3 de doble línea y carga reducida), capaces de aportar a los servidores un incremento del ancho de banda entre el procesador y la memoria de un 57% con respecto a las tecnologías actuales y, además, triplicar la capacidad de memoria.
También ha indicado que esta nueva tecnología se podrá ir escalando a medida que la producción de DD3 migre a componentes de 4 Gbit.
Se trata de una iniciativa que supondrá un importante avance en el segmento de servidores para los centros de datos. Hay que tener en cuenta que las nuevas generaciones de procesadores multinúcleo requieren también una mayor demanda de memoria para obtener mejores rendimientos, por lo que “LRDIMM se conforma como el complemento ideal para los Intel Nehalem y AMD Istanbul”, asegura Robert Feurle, vicepresidente de marketing en la división DRAM de Micron.
“Con el crecimiento de las tareas de virtualización, nuestros nuevos módulos permitirán a los clientes expandir fácilmente sus capacidades de memoria”, apunta Feurle.
Micron tiene previsto a finales de año comenzar a suministrar muestras de los módulos LRDIMM de 16 GBytes, que se están construyendo utilizando chips de memoria de 1,35 voltios y 2 GBytes bajo tecnología de 50 nanómetros. Actualmente ya hay modelos disponibles de 8 GBytes.
La reducción de la carga en el bus permite que los servidores puedan manejar frecuencias de datos más altas, lo que incide en una mejora del rendimiento. Además, también es posible soportar un mayor número de módulos, por lo que la capacidad total de memoria también aumenta.
Los módulos actuales RDIMM son capaces de acomodar hasta 3 módulos de 16 GBytes cada uno por procesador, es decir, un total de 48 GBytes. Según Micron, el mismo sistema podrá soportar hasta nueve módulos de 16 GBytes, lo que supone una capacidad total de 144 GBytes.
La producción masiva de estos módulos está prevista para comienzos del próximo año.
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