Micron e Intel estrenan su nueva memoria flash NAND 3D

Micron e Intel han informado hoy del estreno de su nuevo tecnología de memoria NAND 3D, que emplea celdas de puerta flotante y permite crear los dispositivos flash con mayor densidad de la historia, ya que triplican la capacidad de otros módulos NAND presentes en el mercado.

La nueva tecnología NAND 3D de almacenamiento ha sido desarrollada de forma conjunta por Intel y Micron, está basada en la utilización de celdas de puerta flotante,  y promete más capacidad de almacenamiento en volúmenes más pequeños, lo que implica un coste de producción más reducido.

En ese sentido, gracias a este lanzamiento se podrán crear SSD de más de 3,5 TB de capacidad en el tamaño de un chicle de tira, así como SSD en formato estándar de 2,5 pulgadas con una capacidad de más de 10 TB.

Asimismo, aseguran que también ofrece otras ventajas como un menor consumo de energía, junto a un gran rendimiento con una amplia gama de dispositivos móviles y aplicaciones empresariales.

Rob Crooke, vicepresidente jefe y director general de la división Non-Volatile Memory Solutions Group de Intel Corporation, ha señalado que su nueva tecnología NAND 3D contribuirá “a acelerar la expansión de las soluciones de almacenamiento de estado sólido en todo tipo de plataformas de computación.”

En lo referente a la salida al mercado, se espera que ambas soluciones entren en producción a gran escala a lo largo del cuarto trimestre del año, y tanto Intel como Micron han revelado que están desarrollando sus respectivas gamas de SSD basadas en la tecnología NAND 3D, que esperan comercializar a lo largo del próximo año 2016.