Toshiba y SanDisk han anunciado un acuerdo con el objeto de construir una instalación para la fabricación de placas de 300 milímetros en el complejo Yokkaichi Operations de Toshiba y satisfacer así la demanda de memoria flash NAND, tecnología de almacenamiento diseñada para productos dispositivos digitales de consumo.
Las compañías planean empezar la nueva planta en agosto de 2006, con operaciones iniciales de producción previstas para el cuarto trimestre del año 2007. Así, Toshiba financiará la construcción del edificio, mientras que ambas compañías aportarán fondos para el equipamiento de fabricación. Fab 4 tendrá un tamaño similar al de la actual instalación para placas, Fab 3, actualmente en funcionamiento en Yokkaichi (Japón).
Como resultado, Masashi Muromachi, presidente y CEO de la compañía de Toshiba, afirma que “el mercado de memoria flash NAND está disfrutando de un rápido crecimiento, factor al que Toshiba ha respondido ampliando la capacidad de producción. Mantendremos el liderazgo en el mercado a través de continuas inversiones de capital en la capacidad de producción, así como en tecnología avanzada de procesos y tecnología de celda multinivel. Fab 4 asegurará aún más nuestra disponibilidad para responder a la demanda de memoria flash NAND de alta densidad en este creciente mercado”.
De modo paralelo, Eli Harari, presidente y CEO de SanDisk, añade que “este anuncio demuestra nuestro optimismo respecto al continuo crecimiento de la demanda de nuestros productos en electrónica de consumo y dispositivos portátiles durante los próximos años, así como nuestra confianza en la continua competitividad futura de la asociación Toshiba-SanDisk. Creemos que la Fab 3 de Yokkaichi, que está creciendo rápidamente, y la nueva Fab 4 tendrán una estructura de costes altamente competitiva. La producción resultante creará una extraordinaria base de suministro que esperamos que aumente significativamente nuestros ingresos procedentes de nuevos mercados y geografías en la segunda mitad de esta década”.
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