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Toshiba producirá en 2010 chips flash de 30 nm

Toshiba, fabricará los chips de 30 nanometros en sus instalaciones de Yokkaichi, Japón central, la misma que empezará a fabricar chips de 43 nanometros en marzo de 2008.

Por su parte, Samsung se ha unido con IBM, Infineon Technologies AG, Chartered Semiconductor y Freescale Semiconductor Inc para hacer chips con tecnologías de proceso de 32 nanometros a partir de 2010.

Toshiba está negociando con compatriotas como Fujitsu y NEC para desarrollar los chips conjuntamente, lo que les permitiría reducir costes y responder a la gran demanda de los fabricantes de móviles, portátiles y supercomputadoras.

Más información aquí.

ddelgado TI

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