Samsung prepara módulos de memoria DDR3 con 16 GB

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El gigante tecnológico coreano ha comunicado el muestreo de módulos DDR3 fabricados en procesos de 50 nanómetros, que permitirá capacidades de hasta 16 Gbytes.

La memoria en pruebas con 2 Gbytes ofrece el doble de densidad que los módulos habituales ofrecidos actualmente por la industria, con un ahorro energético del 40% y un aumento de productividad del 60%.

Samsung explica que el nuevo factor de forma permite configuraciones SODIMMs para portátiles de hasta 4 GB. Módulos RIMMs de memoria certificada llegarán hasta los 8 GB, que aumenta hasta los 16 GB anunciados en equipos de sobremesa, estaciones de trabajo y servidores.

La velocidad de transmisión de datos llegará hasta 1,3 Gb por segundo con voltajes de 1,35 o 1,5 voltios. La compañía prevé comenzar la producción en masa, en principio de módulos de 2 GB, a finales de este mismo año. Pasará tiempo hasta que los de 16 GB sea una opción disponible a precio asequible.

vINQulos
tgdaily

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