IBM ha anunciado que el fabricante de semiconductores Micron ha comenzado a poner en producción la primera memoria que hace uso de arquitectura 3D diseñada por IBM.
Se trata del “Cubo de Memoria Híbrido” (Hybrid Memory Cube, HMC), que combina múltiples capas apiladas unas sobre otras y conectadas por micro-tubos, conformando una estructura tridimensional donde se almacenan los bits de información en cada intersección.
El resultado de este entramado permite incorporar varios chips de memoria en un mismo montaje, lo que aumenta la densidad de información mientras se reduce el espacio necesario. Además, tal y como asegura IBM, la velocidad de acceso a los datos es 15 veces mayor que en los diseños actuales de memoria DDR3.
El diseño preliminar realizado por Micron ofrece un ancho de banda 128 GBytes/s, mientras que los chips convencionales aportan 12,8 GBytes/s. El consumo de energía requerido para transferir los bits es un 70% menor.
Estas especificaciones permitirán en un futuro no muy lejano mantener en memoria las aplicaciones en su integridad sin necesidad de acceder al almacenamiento en disco, lo que mejorará el rendimiento exponencialmente. IBM pretende acercar esta arquitectura a los productos de consumo, “lo que mejorará drásticamente la autonomía de las baterías y la funcionalidad de los dispositivos”, tal y como señala Subu Iver, miembro del equipo desarrollador de esta tecnología en IBM.
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