Samsung Electronics ha dado un paso de gigante para conseguir situarse a la cabeza en cuanto a miniaturización a la hora de fabricar memorias NAND Flash. Varias compañías como Intel/Micron y Toshiba habían estado hablando de ello, pero hasta ahora no habían podido conseguir un proceso de fabricación de 20 nanómetros.
La compañía coreana ha anunciado que ya está produciendo este tipo de memoria, a la que denomina 20nm-class NAND Flash. Gracias a esta nueva tecnología de fabricación es posible conseguir memorias con celdas multinivel (MLC) de 8 GBytes, ideadas en primer término para smartphones, dispositivos de gama alta TI o tarjetas de memoria de alto rendimiento.
Los factores de reducción a la hora de fabricar chips, ya sean memoria o micropocesadores, llevan asociadas dos importantes características. En primer lugar, se reduce el calentamiento de los circuitos, por lo que las necesidades de refrigeración también se minimizan. Más importante aún es la reducción en el consumo eléctrico, ya que no se necesita tanta energía para llevar a cabo los pulsos que se mueven por los circuitos y celdas.
De forma adicional, cuanto más pequeños son los chips de memoria, más unidades caben en una oblea, por lo que también se reducen los costes de fabricación.
Gracias a esta tecnología se pueden fabricar, por ejemplo, tarjetas de memoria SD capaces de mejorar el rendimiento en un 30% con respecto a las fabricadas en 30 nanómetros.
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