Samsung Electronics culmina su memoria DRAM DDR5 de 12 nm
Este modelo promete velocidades de hasta 7,2 Gbps y una reducción del 23 % en consumo energético respecto a la DRAM anterior.
Samsung Electronics da un paso más en el segmento de las memorias DRAM. Ha anunciado un modelo DDR5 de 16 Gb que ha sido construido con tecnología de proceso de 12 nm.
Para ello, ha confiado en un nuevo material y una tecnología de diseño que mejora las características del circuito. Samsung promete velocidades de hasta 7,2 Gbps y una reducción del 23 % en términos de consumo respecto a la DRAM anterior.
Esta memoria será “clave para impulsar la adopción de DRAM DDR5 en todo el mercado”, opina Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de tecnología y producto DRAM en Samsung Electronics, que tiene previsto comenzar la producción en masa en 2023.
“Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por inteligencia artificial”, señala.
La memoria DRAM DDR5 de 12 nm de Samsung, además, ha completado la evaluación de producto que garantiza la compatibilidad con las plataformas Zen de AMD.
