Samsung Electronics ya ha comenzado a fabricar en masa el procesador Exynos 7 Dual 7270, basado en tecnología FinFET de 14 nanómetros.
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Samsung Electronics ya ha comenzado a fabricar en masa el procesador Exynos 7 Dual 7270, basado en tecnología FinFET de 14 nanómetros.
Basados en microarquitectura Skylake y proceso de fabricación de 14 nanómetros, estos chips están preparados para integrarse en una amplia línea de dispositivos informáticos.
Fabricado con proceso de 14 nanómetros, también debería rebajar el consumo energético un 35% respecto al diseño de 20 nanómetros de la casa.
La nueva apuesta de Intel en el campo de los procesadores debería dar lugar a productos de alto rendimiento más delgados, más autónomos y más eficientes energéticamente.
Ambas empresas han firmado un acuerdo para la creación de chips de bajo consumo que implica al proceso de fabricación de 14 nanómetros y los transistores Tri-Gate.
Según las informaciones que provienen de Asia, las primeras muestras de estos chips de 14 nanómetros no llegarán hasta finales de año, como muy pronto.
En vez de continuar con la construcción de Fab 42, Intel destinará la producción de 14 nanómetros a otras instalaciones ya existentes.
El fabricante de Santa Clara podría utilizar su tecnología de fabricación de 14 nanómetros para crear un chip 18-core marca Xeon.
El otro suministrador de procesadores para los iPhone futuros sería TSMC que, además, podría acabar haciéndose con la mayor parte del encargo, según los rumores.
Aunque se esperaba que Intel comenzase a distribuir su nueva generación de chips antes de que terminase 2013, Broadwell no hará acto de aparición hasta el próximo trimestre.
La nueva generación de procesadores Intel para smartphones y tabletas podría llegar a finales de 2014, tan sólo seis meses después de los Core de 14 nanómetros.
Los procesadores Atom de 22 y 14 nanómetros intentarán derrotar a los diseños de ARM Holdings, actual líder del segmento móvil.
La compañía surcoreana ya ha mostrado el primer procesador de prueba construido con la tecnología 3D FinFET, fruto de su colaboración con ARM Holdings y Synopsys.
La compañía estadounidense había elegido a su fábrica de Leixlip, en Irlanda, como uno de los motores para el cambio de proceso.
La firma surcoreana prepara una inversión de 1.900 millones de dólares para mejorar su proceso de fabricación, al tiempo que decide nombrar nuevo CEO.
Según una hoja de ruta filtrada a Internet, el fabricante californiano planea comenzar el desarrollo de esta tecnología en 2015.
"Nuestro trabajo es asegurar que nuestro silicio sea tan irresistible que Apple no nos pueda ignorar", ha asegurado el CEO de la compañía, Paul Otellini.