La siguiente evolución de la tecnología de almacenamiento 3D NAND promete cuatro veces más TBytes por servidor y reducir hasta 10 veces la latencia en la lectura aleatoria.
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Actualidad TI 3d nand
Intel y Micron dejarán de desarrollar conjuntamente la tecnología 3D NAND
La ‘joint venture’ entre ambos fabricantes acuerda el desarrollo de la tercera generación de memoria 3D NAND, que llegará al mercado a comienzos de 2019. A partir de ese momento, seguirán caminos separados.
Intel amplía su gama de almacenamiento para centros de datos
Ha introducido las unidades SSD DC P4500 Series e Intel SSD DC P4600 Series, que llegan a los 4 TB de capacidad.
Samsung niega los rumores de una inversión de 25 billones de won en memoria 3D NAND
Ante los rumores aparecidos en el Korea Economic Daily sobre los planes de Samsung de invertir 25 billones de won en la tecnología 3D NAND, la compañía coreana los ha negado oficialmente.
Intel invertirá 5.500 millones en una fábrica de semiconductores en China
La empresa de Santa Clara ha desvelado que en el segundo trimestre del próximo año producirá chips 3D NAND en China.