TSMC desvela sus progresos en tecnología de 40 nanometros

TSMC ha obtenido la tecnología de 40 nanometros como resultado de algunos ajustes a su proceso de fabricación anterior de 45 nanometros. Utiliza una combinación de fotolitografía en inmersión de 193 nm y un material extremo aislante low-k (ELK). TSMC cree que el proceso será capaz de crear la celda de memoria SRAM más pequeña del mercado, reduciéndola a un tamaño diminuto de 0,242 µm al cuadrado. La compañía asegura que el paso de los 45 nanos a los 40 permitirá reducir el consumo de energía hasta en un 15 por ciento. Además, el nuevo nodo de 40 nanos permitirá que sus procesos LP y G mejoren la densidad de puerta respecto al proceso de 65 nanometros.

TSMC dice que el nuevo 40 LP de bajo consumo será utilizado para aplicaciones sensibles al filtrado como las que se utilizan en dispositivos portátiles e inalámbricos, mientras que el 40 G se utilizará con las CPUs, las GPUs, las consolas, las redes y los diseños FPGA, así como para alojamiento de otros dispositivos de consumo.

Los chips 40 G y LP serán fabricados en las plantas de 12 pulgadas de TSMC.

vINQulos
The Inquirer UK