La producción en masa de la nueva generación de DRAM LPDDR4X de 16 Gb y 10 nanómetros ya ha comenzado.
Su artífice es Samsung Electronics y desde la vicepresidencia sénior de Memory Sales & Marketing de la compañía explican que con esta DRAM se conseguirán “soluciones significativamente mejoradas para la próxima generación de dispositivos móviles insignia que deberían llegar al mercado a finales de este año o en la primera parte de 2019″.
El nuevo producto de memoria de Samsung ofrecería “alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia”, según lo relatado por Sewon Chun.
En comparación con los chips de DRAM móvil LPDDR4X 1x-nm actuales, esta generación 1y-nm promete reducir la potencia hasta un 10 %. Esto es, manteniendo una velocidad de 4.266 Mb/s.
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