Eaton amplía sus instalaciones para la fabricación de SAIs en Finlandia

Ubicado en Vantaa, su nuevo campus tendrá una superficie de 16.500 m² y dará cabida a tareas de investigación y desarrollo, fabricación, almacenamiento, ventas y servicio.

Eaton ampliará sus instalaciones en Finlandia. Construirá un nuevo campus para sus sistemas de energía críticos en la ciudad de Vantaa.

Este campus, que debería estar terminado a finales de 2023 y se situará junto al aeropuerto de Helsinki, contará con una superficie de 16 500 m² para dar cabida a tareas de investigación y desarrollo, fabricación, almacenamiento, ventas y servicio, todo bajo un mismo techo.

Una vez operativo, funcionará como sede de Critical Power Solutions de Eaton y centro de excelencia para centros de datos.

Creará un centenar de puestos de trabajo en operaciones, investigación y desarrollo, el área comercial y soporte técnico.

La filial local de Eaton cuenta en estos momentos con 250 empleados. La creciente demanda de producción en la fábrica de Espoo, incluyendo sistemas trifásicos de alimentación ininterrumpida (SAI) y de almacenamiento de energía para favorecer la transición energética, está detrás de esta ampliación.

“Al invertir y reforzar nuestra presencia en Finlandia, estamos aprovechando la sólida herencia local de Eaton, a la vez que cumplimos nuestro compromiso con la sostenibilidad“, comenta Karina Rigby, presidenta de Sistemas Críticos, Sector Eléctrico de Eaton en EMEA.

“El negocio de calidad de energía de Eaton está creciendo, impulsado por la digitalización y la transición energética, y gracias al nuevo campus de Vantaa, estaremos preparados para apoyar a nuestros clientes ahora y en el futuro”, dice.

“Es emocionante ver cómo la tecnología de los SAIs ha evolucionado con el tiempo: hoy en día no sólo garantiza la continuidad del negocio para las aplicaciones críticas, sino que también juega un papel en el cambio a las energías renovables”, destaca Rigby, “actuando como un recurso de flexibilidad que apoya la estabilidad de la red”.